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MetalsTek Engineering ist ein zuverlässiger Hersteller und Lieferant von Titan-Sputtering-Targets. Wir bieten einen hochgradig kundenspezifischen Service für Sputtertargets an, und auch ein Backing Bonding Service ist verfügbar.
Reinheit: 99,2%-99.7%, 99,97%-99.98%, >99,99%, 99,995%
Form: Scheiben, Platten, Säulenziele, Stufenziele, Sonderanfertigungen
Standardgrößen: Durchmesser: 1,0″, 2,0″, 3,0″, 4,0″, 5,0″, 6,0″, 7″, 8″ * Dicke: 0,125″, 0,250″
Sonstiges: Reinheit, Form, Größe können individuell angepasst werden
Reinheit: 99,9%-99.999%
Wärmeleitfähigkeit: 21,9 W/m.K
Schmelzpunkt: 1.660°C
Wärmeausdehnungskoeffizient: 8,6 x 10-6/K
Größenbereich: OD5.5″~7″ * ID5″~5.5″ * Länge<138″
Reinheit: 99,9%-99.999%
Wärmeleitfähigkeit: 21,9 W/m.K
Schmelzpunkt: 1.660°C
Wärmeausdehnungskoeffizient: 8,6 x 10-6/K
Größe: 0,5″*70″*90″
GW: <450 lbs
Reinheit: >99,9%, 99,95%, 99,99%
Form: Scheiben, Platten, Säulenziele, Stufenziele, Sonderanfertigungen
Standardgrößen: Durchmesser: 1,0″, 2,0″, 3,0″, 4,0″, 5,0″, 6,0″, 7″, 8″ * Dicke: 0,125″, 0,250″
Sonstiges: Reinheit, Form, Größe können individuell angepasst werden
Das Titaniumdioxid-Sputter-Target von MetalsTek Engineering, das aus Ti und O besteht, ist ein wichtiges Material. Es ist auch als Titan(IV)-oxid oder Titandioxid (chemische Formel TiO2) bekannt und kommt in der Natur in Mineralien wie Rutil und Anatas vor. Zwei Hochdruckformen, Akaogiit und Brookit, werden vor allem im Rieskrater in Bayern gefunden. Rutil wird in erster Linie aus Ilmenit, dem weltweit am häufigsten vorkommenden titandioxidhaltigen Erz, gewonnen und enthält etwa 98 % Titandioxid. Beim Erhitzen auf über 600-800 °C wandeln sich die metastabilen Anatas- und Brookitphasen irreversibel in die Gleichgewichtsrutilphase um.
Indium Bonding und Elastomeric Target Bonding Service sind für Titanium Dioxide Sputtering Target verfügbar.
| Material Type | Titanium (IV) Oxide |
| Symbol | TiO2 |
| Color/Appearance | White-Beige, Gray Black |
| Theoretical Density | 4.23 g/cc |
| Melting Point | 1,830 °C |
| Sputter | RF, RF-R |
| Type of Bond | Indium, Elastomer |
| Comments | Suboxide, must be reoxidized to rutile. Ta reduces TiO2 to TiO |
Material: Ti/Zr, Ta/Ti, TiB2, TiSe2, TiO, Ti2O3, Ti3O5, W/Ti, TiN, TiF3, TiC, Ti/Al/Si, LiLaTiO3, TiSi2, V/Ti, Ni/Ti, Al/Ti, TiCN, TiFe2O4, Cr/Ti, Nb/Ti, Co/Ti, LaTiO3, SrTiO3, PZT, PbTiO3, Bi4Ti3O12, BaTiO3, und mehr
Form: Scheibe, Platte, planar, rotierend, oder kundenspezifisch
Größe: Kann individuell angepasst werden
Titan-Sputter-Targets sind wichtige Materialien, die im Sputter-Beschichtungsprozess zur Herstellung dünner Titanschichten verwendet werden. Diese Targets gibt es in verschiedenen Reinheitsgraden und Größen, um spezifischen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden. Während des Sputterverfahrens beschießen hochenergetische Teilchen das Targetmaterial und stoßen Atome aus der Targetoberfläche aus. Diese Atome bilden dann einen dünnen Film auf dem Substrat und erzeugen die gewünschte Beschichtung.
Für die Herstellung von Titan-Sputter-Targets gibt es zwei Hauptverfahren: Gießen und Pulvermetallurgie. Bei der Gussmethode wird das Rohmaterial geschmolzen und in eine Form gegossen, um einen Barren herzustellen. Der Barren wird dann maschinell in die gewünschte Targetform gebracht. Beim pulvermetallurgischen Verfahren hingegen wird das Rohmaterial geschmolzen, in einen Block gegossen, das Nugget pulverisiert und dann das Pulver gesintert, um das Target zu formen.
Die Reinheit der Titan-Sputter-Targets spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der Qualität der entstehenden Dünnschicht. Diese Targets sind in hohen Reinheitsgraden wie 99,99 % und 99,995 % erhältlich, um die Herstellung von erstklassigen Dünnschichten für verschiedene Anwendungen zu gewährleisten.
Titan-Sputter-Targets werden in großem Umfang in kommerziellen und Forschungsanwendungen eingesetzt, u. a. in der Optoelektronik, der Nanotechnologie, bei modernen Werkstoffen, Flachbildschirmen, Verschleiß- und Zierbeschichtungen, Halbleiterbauelementen und optischen Beschichtungen.
Die Abscheidung dünner Titanschichten mit Sputtertargets erfordert in der Regel besondere Bedingungen. Das Gleichstromsputtern ist eine Standardmethode für die Abscheidung von Titan-Dünnschichten. Zu den typischen Abscheidungsbedingungen gehören eine Leistung von 1-2 kW, ein Druck von 0,1-1 mTorr, eine Substratvorspannung von -2-10 V, ein Abstand zwischen Target und Probe von 20-30 cm und eine Substrattemperatur von 50-80 °C. Die Abscheiderate von Titanschichten liegt normalerweise im Bereich von 1-5 nm/min.
| Material Type | Titanium | Z Ratio | 0.628 |
| Symbol | Ti | E-Beam | Excellent |
| Atomic Weight | 47.867 | Thermal Evaporation Techniques | Boat: W |
| Atomic Number | 22 | Crucible: TiC,Ti2-BN | |
| Color/Appearance | Silvery Metallic | E-Beam Crucible Liner Material | Fabmate®, Intermetallic |
| Thermal Conductivity | 21.9 W/m.K | Temp. (°C) for Given Vap. Press. (Torr) | 10-8: 1,067 |
| Melting Point (°C) | 1,660 | 10-6: 1,235 | |
| Coefficient of Thermal Expansion | 8.6 x 10-6/K | 10-4: 1,453 | |
| Theoretical Density (g/cc) | 4.5 | Comments | Alloys with W/Ta/Mo; evolves gas on first heating. |
Die von MetalsTek Engineering hergestellten Titan-Sputter-Targets finden aufgrund der einzigartigen Eigenschaften von Titan und der Präzision unserer Abscheidungsmaterialien vielseitige Anwendungen in verschiedenen Branchen. Einige kritische Anwendungen umfassen:
Die Titan-Sputter-Targets von MetalsTek Engineering spielen eine entscheidende Rolle bei der Weiterentwicklung technologischer Anwendungen in diesen verschiedenen Branchen und bieten hochwertige Abscheidungsmaterialien für Präzisionsbeschichtungsprozesse.
Unsere Titan-Sputter-Targets sind zur Gewährleistung einer effizienten Identifizierung und Qualitätskontrolle deutlich gekennzeichnet und beschriftet. Es wird große Sorgfalt darauf verwendet, Schäden zu vermeiden, die während der Lagerung oder des Transports entstehen könnten.